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德國蔡司場發(fā)射掃描電子顯微鏡Sigma 系列產(chǎn)品-華普通用

型號:Sigma 系列
德國蔡司Sigma 系列產(chǎn)品用于高品質(zhì)成像與高級分析的場發(fā)射掃描電子顯微鏡

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服務(wù)熱線 0755-86677030

產(chǎn)品描述

蔡司Sigma

擁有高品質(zhì)成像和先進(jìn)顯微分析功能的FE-SEM

蔡司Sigma系列產(chǎn)品集場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)技術(shù)與良好的用戶體驗于一體,助您輕松實(shí)現(xiàn)構(gòu)建成像和分析程序,同時提高工作效率。您可以將其用于新材料和顆粒的質(zhì)量監(jiān)測,或研究生物和地質(zhì)樣本。Sigma可實(shí)現(xiàn)高分辨率成像,它采用低電壓,能在1 kV或更低電壓下實(shí)現(xiàn)更高的分辨率和對比度。它出色的EDS幾何學(xué)設(shè)計可執(zhí)行高級顯微分析,以兩倍的速度和更高的精度獲取分析數(shù)據(jù)。

使用Sigma系列,暢游高端納米分析世界。

  • Sigma 360是一款直觀的成像和分析FE-SEM,是分析測試平臺的理想之選。

  • Sigma 560采用先進(jìn)的EDS幾何學(xué)設(shè)計,可提供高通量分析,實(shí)現(xiàn)自動原位實(shí)驗。

產(chǎn)品優(yōu)勢

Sigma 360

分析測試平臺的理想之選,直觀的圖像采集

 
  • 從設(shè)置到獲取基于人工智能的結(jié)果,均提供專業(yè)向?qū)?,為您保駕護(hù)航,助您探索直觀成像工作流。

  • 可在1 kV和更低電壓下分辨差異,實(shí)現(xiàn)更高的分辨率和對比度。

  • 可在極端條件下執(zhí)行可變壓力成像,獲得出色的非導(dǎo)體成像結(jié)果。

可在極端條件下完成可變壓力成像

用于分析和成像的NanoVP lite模式

 
  • 新NanoVP lite模式和新探測器很容易在電壓低于5 kV時,從非導(dǎo)體中輕松獲取高質(zhì)量數(shù)據(jù)。

  • 這樣,就可增強(qiáng)成像和X射線能譜分析的性能,提供更多表面敏感信息,縮短采集時間,增強(qiáng)入射電子束流,提高能譜面分布分析速度。

  • aBSD1(環(huán)形背散射電子探測器)或新一代C2D(級聯(lián)電流)探測器可確保在低電壓條件下采集到出色圖像。

對聚苯乙烯樣品進(jìn)行斷裂,以了解聚合物界面處的裂紋形成和附著力將多模式實(shí)驗與Connect Toolkit相結(jié)合,或使用Materials應(yīng)用程序分析顯微結(jié)構(gòu)、晶粒尺寸或涂層厚度

直觀成像工作流為您指引方向

從設(shè)置到獲取基于人工智能的結(jié)果,每一步都清晰明了

 
  • 即使您是新手用戶,也能輕松獲得專業(yè)結(jié)果。Sigma系列獲取圖像迅速,易于學(xué)習(xí)和使用的工作流可節(jié)省培訓(xùn)時間,簡化從導(dǎo)航到后期處理的每個步驟,讓您如虎添翼。

  • 蔡司SmartSEM Touch中的軟件自動化可助您完成導(dǎo)航、參數(shù)設(shè)置和圖像采集等步驟。

  • 接下來,ZEN core便可大顯身手:它配備針對具體任務(wù)的工具包,適用于后期處理。我們十分推薦人工智能工具包,它可助您基于機(jī)器學(xué)習(xí)進(jìn)行圖像分割。 

可在1 kV和更低電壓條件下分辨差異

可在1 kV和更低電壓條件下分辨差異

增強(qiáng)的分辨率。優(yōu)化的襯度

 
  • 光學(xué)鏡筒是成像和分析性能的關(guān)鍵。Sigma配用蔡司Gemini 1電子光學(xué)鏡筒,可對任何樣品提供出色的成像分辨率,尤其是在低電壓條件下。

  • Sigma 360的低電壓分辨率目前500 V時為1.9 nm。通過大幅度降低色差,1 kV時的分辨率已提升10%以上,可達(dá)1.3 nm。

  • 現(xiàn)在成像比以往任何時候都輕松,無論是要求苛刻的樣品,還是在可變壓力(VP)模式下采用背散射探測。

對聚苯乙烯樣品進(jìn)行斷裂,以了解聚合物界面處的裂紋形成和附著力對聚苯乙烯樣品進(jìn)行斷裂,以了解聚合物界面處的裂紋形成和附著力。Sigma 360,C2D,3 kV,NanoVP lite模式,樣品室壓力60Pa。

可在極端條件下完成可變壓力成像

用于分析和成像的NanoVP lite模式

 
  • 新NanoVP lite模式和新探測器很容易在電壓低于5 kV時,從非導(dǎo)體中輕松獲取高質(zhì)量數(shù)據(jù)。

  • 這樣,就可增強(qiáng)成像和X射線能譜分析的性能,提供更多表面敏感信息,縮短采集時間,增強(qiáng)入射電子束流,提高能譜面分布分析速度。

  • aBSD1(環(huán)形背散射電子探測器)或新一代C2D(級聯(lián)電流)探測器可確保在低電壓條件下采集到出色圖像。

將多模式實(shí)驗與Connect Toolkit相結(jié)合,或使用Materials應(yīng)用程序分析顯微結(jié)構(gòu)、晶粒尺寸或涂層厚度

直觀成像工作流為您指引方向

從設(shè)置到獲取基于人工智能的結(jié)果,每一步都清晰明了

 
  • 即使您是新手用戶,也能輕松獲得專業(yè)結(jié)果。Sigma系列獲取圖像迅速,易于學(xué)習(xí)和使用的工作流可節(jié)省培訓(xùn)時間,簡化從導(dǎo)航到后期處理的每個步驟,讓您如虎添翼。

  • 蔡司SmartSEM Touch中的軟件自動化可助您完成導(dǎo)航、參數(shù)設(shè)置和圖像采集等步驟。

  • 接下來,ZEN core便可大顯身手:它配備針對具體任務(wù)的工具包,適用于后期處理。我們十分推薦人工智能工具包,它可助您基于機(jī)器學(xué)習(xí)進(jìn)行圖像分割。 

Sigma 560

高通量分析,原位實(shí)驗自動化

 

  • 對實(shí)體樣品進(jìn)行高效分析:基于SEM的高速和通用分析。

  • 實(shí)現(xiàn)原位實(shí)驗自動化:無人值守測試的全集成實(shí)驗室。

  • 可在低于1 kV的條件下完成要求苛刻的樣品成像:采集完整的樣品信息。

可在1 kV和更低電壓條件下分辨差異

 
  • 在1 kV或甚至在500 V時實(shí)現(xiàn)信息量豐富的成像和分析:Sigma 560的低千伏分辨率500 V時為1.5 nm。
    在新的NanoVP lite模式下,使用新型aBSD或C2D探測器

  • 在可變壓力下輕松拍攝要求苛刻的樣品,加速電壓可低至3 kV。

  • 正在研究電子設(shè)備的您肯定希望保持清潔的工作環(huán)境。使用等離子清洗儀(強(qiáng)烈推薦)和可通過6英寸晶圓的新型大尺寸樣品交換艙,防止您的樣品室受到污染。

氧化鋁球體, 氧化鋁球體,在500 V表面信息敏感條件下高分辨成像,可以看到燒結(jié)顆粒的表面梯度,某些梯度之間的距離僅為3 nm。Sigma 560,500 V,Inlens SE。

對實(shí)體樣品進(jìn)行高效分析

EDS:通用、高速,助您深入研究

 

  • Sigma 560的一流EDS幾何學(xué)設(shè)計可提高分析效率。兩個180°徑向相對的EDS端口確保了即使在低電壓小束流條件下,也能實(shí)現(xiàn)高通量無陰影元素面分布。

    • 樣品室的附加EBSD和WDS端口可進(jìn)行除EDS外的分析。

      • 不導(dǎo)電樣品也可以使用全新的NanoVP lite模式進(jìn)行分析,并能獲得更強(qiáng)的信號和更高的對比度。

        • 全新的aBSD4探測器可輕松實(shí)現(xiàn)表面形貌復(fù)雜樣品的圖像采集。

        <iframe src="https://fast.wistia.net/embed/iframe/6z1no9odc9?videoFoam=true&playerColor=008BD0&controlsVisibleOnLoad=false&endVideoBehavior=reset&playerPreference=auto" name="wistia_embed-5ff74bb5180c408c83915d1123fe339c"></iframe>鋼原位加熱和拉伸實(shí)驗。同步執(zhí)行SEM成像和EBSD分析,以深入研究應(yīng)力應(yīng)變曲線。

        實(shí)現(xiàn)原位實(shí)驗自動化

        無人值守測試的全集成實(shí)驗室

         

        • Sigma原位實(shí)驗室是一種全集成式解決方案,它可以不依賴操作人員,通過無人值守的自動化工作流進(jìn)行加熱和拉伸測試。

        • 通過對納米級別的特征進(jìn)行3D分析進(jìn)一步擴(kuò)展您的工作流:執(zhí)行3D STEM斷層成像或基于人工智能的圖像分割。

        • 新aBSD4可實(shí)現(xiàn)實(shí)時3D表面建模(3DSM)。

        以低電壓成像的碳納米管(CNT)。Sigma 560,500 V,Inlens SE探測器。

        對要求苛刻的樣品能夠輕松成像

        可在1 kV和更低電壓條件下分辨差異

         
        • 在1 kV或甚至在500 V時實(shí)現(xiàn)信息量豐富的成像和分析:Sigma 560的低千伏分辨率500 V時為1.5 nm。
          在新的NanoVP lite模式下,使用新型aBSD或C2D探測器

        • 在可變壓力下輕松拍攝要求苛刻的樣品,加速電壓可低至3 kV。

        • 正在研究電子設(shè)備的您肯定希望保持清潔的工作環(huán)境。使用等離子清洗儀(強(qiáng)烈推薦)和可通過6英寸晶圓的新型大尺寸樣品交換艙,防止您的樣品室受到污染。

        球體,在500 V表面信息敏感條件下高分辨成像,可以看到燒結(jié)顆粒的表面梯度,某些梯度之間的距離僅為3 nm。Sigma 560,500 V,Inlens SE。

        對實(shí)體樣品進(jìn)行高效分析

        EDS:通用、高速,助您深入研究

         

        • Sigma 560的一流EDS幾何學(xué)設(shè)計可提高分析效率。兩個180°徑向相對的EDS端口確保了即使在低電壓小束流條件下,也能實(shí)現(xiàn)高通量無陰影元素面分布。

          • 樣品室的附加EBSD和WDS端口可進(jìn)行除EDS外的分析。

            • 不導(dǎo)電樣品也可以使用全新的NanoVP lite模式進(jìn)行分析,并能獲得更強(qiáng)的信號和更高的對比度。

            • 全新的aBSD4探測器可輕松實(shí)現(xiàn)表面形貌復(fù)雜樣品的圖像采集。

              技術(shù)

              Gemini電子光學(xué)鏡筒橫截面示意圖,包含電子束推進(jìn)器、Inlens探測器和Gemini物鏡。Gemini電子光學(xué)鏡筒橫截面示意圖,包含電子束推進(jìn)器、Inlens探測器和Gemini物鏡。

              Gemini 1電子光學(xué)系統(tǒng)

              • Gemini 1電子光學(xué)系統(tǒng)由三個元件組成:物鏡、電子束推進(jìn)器和Inlens探測器。其中,物鏡的設(shè)計將靜電場與磁場相結(jié)合,大大優(yōu)化光學(xué)性能的同時,降低了樣品受到的磁場影響。 

              • 如此也可實(shí)現(xiàn)對磁性材料等具有挑戰(zhàn)性的樣品的高品質(zhì)成像。Inlens探測原理通過對二次電子(SE)和/或背散射電子(BSE)的探測來確保高效的信號檢測,同時大幅縮短獲取圖像的時間。 

              • 電子束推進(jìn)器保證了小尺寸的電子束斑和高信噪比。

              Gemini 1光學(xué)鏡筒與探測器橫截面示意圖。Gemini 1光學(xué)鏡筒與探測器橫截面示意圖

              以靈活的探測獲取清晰圖像

              • Sigma配備了一系列不同的探測器,通過新探測技術(shù)對您的樣品進(jìn)行表征。 

              • 使用ETSE和Inlens探測器的高真空模式可獲取表面形貌的高分辨率信息。

              • 使用VPSE或C2D探測器的可變壓力模式可獲得清晰圖像。 

              • 使用aSTEM探測器可進(jìn)行高分辨率透射電子成像。

              • 采用不同的可選BSE探測器,如aBSD探測器,可以深入研究樣品的成分和表面形貌。

              標(biāo)準(zhǔn)VP(左)和NanoVP lite(右)模式,氣體分布(粉紅色),電子束裙邊(綠色)。

              NanoVP lite模式

              采用NanoVP lite模式進(jìn)行分析和成像,在低電壓條件下可獲得更高的圖像質(zhì)量,更快速地獲取更準(zhǔn)確的分析數(shù)據(jù)。

              • 在NanoVP lite模式下,裙邊效應(yīng)降低且電子束的氣體路徑長度(BGPL)減小。裙邊減小會提高SE和BSE成像的信噪比。

              • 帶有五象限的可伸縮式的環(huán)形aBSD可提供出色的材料成分襯度:在NanoVP lite工作過程中,該探測器配備了安裝在極靴下方的束流套管,其可提供低電壓下的高通量高襯度成分和表面形貌成像,適用于可變壓力和高真空條件。


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